獨 자이스와 EUV 기술 협력저커버그와 서울 회동 이어독일서 글로벌 경영 재시동EUV 장비 기술력 끌어올려파운드리 미세 공정 초격차연내 10나노급 D램 양산도
연내 10나노급 D램 양산도 이재용 삼성전자 회장이 독일 자이스를 방문해 협력 방안을 논의한 것은 초미세 공정 경쟁에서 앞서기 위해서는 극자외선 기술력 확보가 필수적이기 때문이다. 대만 TSMC가 파운드리 시장을 주도하고 있지만 3㎚ 이하 미세 공정에서는 승산이 충분하다는 게 삼성전자 판단이다.
삼성전자 관계자는"자이스와 협력해 차세대 반도체 성능 개선과 생산 공정 최적화, 수율 향상을 달성해 경쟁력을 끌어올릴 수 있을 것"이라며"EUV 기술력을 바탕으로 파운드리 시장에서 3나노 이하 초미세 공정을 주도하고 연내에 EUV 공정을 적용해 6세대 10나노급 D램을 양산하겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 2022년 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 양산에 성공했다. 파운드리 공정에 GAA 기술을 적용한 것은 현재까지 삼성전자가 유일하다. 경쟁사인 TSMC는 2나노부터 GAA 공법을 적용할 예정이다.
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