삼성전자가 업계 최대 용량인 고성능 D램 개발에 성공했다. 생성형 인공지능(AI) 시대에 필수적...
삼성전자가 업계 최대 용량인 고성능 D램 개발에 성공했다. 생성형 인공지능 시대에 필수적인 D램 수요에 효과적으로 대응하는 계기가 될 것으로 보인다.1983년 64Kb D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년 만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다.TSV 공정은 칩을 얇게 간 뒤 수백개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 공정 사용이 필수였다.
이는 가파르게 수요가 증가하는 고대역폭 메모리 공급에도 도움을 줄 전망이다. HBM을 생산하는 핵심 공정이 TSV로 한정된 TSV 캐파를 고용량 D램 모듈과 나눠 사용하고 있다. TSV 기술을 쓰지 않는 고용량 D램 모듈을 제작할 수 있게 되면 그만큼 HBM 캐파가 늘어난다. 또 동일한 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중시하는 정보기술 기업에 최적화된 솔루션을 제공할 수 있다고 회사는 소개했다. 삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 확대할 계획이다. AI 시대를 맞아 컴퓨팅 처리량이 기하급수적으로 늘며 글로벌 데이터양은 올해 100제타바이트를 넘어설 전망이다. 2010년 2ZB에 불과했던 데이터양은 2025년에는 181ZB까지 급증할 것으로 예상된다. 삼성전자는 “이번 32Gb 대용량 D램 개발은 고성능 D램을 원하지만 투자비도 고려해야 하는 기업에게 혁신적인 솔루션이 될 수 있을 것”이라고 설명했다.
삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 황상준 부사장은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “향후에도 차별화된 공정과 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나가겠다”고 말했다.
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삼성전자, 업계 최대 용량 DDR5 개발 “40년 만에 50만 배”삼성전자는 지난 5월 12나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 이끌고 있다. 삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 차세대 D램 시장을 이끈다는 전략이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 '이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다'며 '삼성전자는 향후에도 차별화한 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것'이라고 말했다.
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