삼성전자는 지난 5월 12나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 이끌고 있다. 삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 차세대 D램 시장을 이끈다는 전략이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 '이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다'며 '삼성전자는 향후에도 차별화한 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것'이라고 말했다.
삼성전자가 업계 최대 용량인 고성능 D램을 새로 출시했다. 생성형 인공지능 붐으로 데이터 처리량이 급격하게 증가하면서 늘어나는 고용량 메모리 수요에 대응하기 위해서다. 삼성전자는 이러한 고성능 제품을 통해서 반도체 시장에서 업턴을 이끌어가겠다는 구상이다.1983년 64Kb D램을 처음 개발했던 삼성전자는 올해 40년 만에 용량을 50만 배 늘리는 데 성공한 것이다. 삼성전자는 지난 5월 12나노미터급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 이끌고 있다.
삼성전자에 따르면 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 두 배의 용량을 구현했다. 128GB 모듈을 TSV 공정 없이 제작할 수 있다. TSV란 칩을 최대한 얇게 하고 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. TSV는 HBM 생산하는데 핵심 공정인 만큼, 한정된 TSV 케파를 D램과 나누지 않고 HBM 생산에 집중할 수 있다는 설명이다. HBM은 향후 5년간 연평균 30%대 성장률이 예상되는 제품이다. 최근 생성형 AI 붐을 타고 컴퓨팅 처리량이 기하급수적으로 증가하고 있다. 2010년 글로벌 데이터양은 2ZB에 불과했지만 올해에는 100ZB를 넘어서며 2025년에는 181ZB까지 급증할 것으로 전망된다. 이러한 변화 속에 많은 글로벌 기업들이 경쟁력 있는 데이터 센터 확보를 위해 투자하고 있으며, 특히 생성형 AI에 필수적인 하이엔드 서버는 더 빠르고 많은 데이터를 처리하기 위해 서버당 D램 탑재량을 지속해서 늘리고 있다. 삼성은 이러한 수요에 발맞춰 신제품을 출시한 것이다.
이번 신제품은 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력을 개선이 가능하다. 삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 차세대 D램 시장을 이끈다는 전략이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “삼성전자는 향후에도 차별화한 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것”이라고 말했다.