이정배 삼성전자 사장, 반도체뉴스룸 기고 “D램 3D 적층구조 연구...V낸드는 단수 늘리기” “HBM, 최고 성능 이어 고객 맞춤형 제품 확장”
“HBM, 최고 성능 이어 고객 맞춤형 제품 확장” 세계 메모리 반도체 시장을 이끌고 있는 삼성전자는 앞으로 다가올 10나노미터 이하 D램, 1000단 낸드 플래시 등 최첨단 칩 시대를 주도할 것이라고 강조했다.이정배 삼성전자 DS 부문 메모리사업부장은 17일 삼성전자 반도체뉴스룸에 올린 기고문에서 “D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해 새로운 시장을 열어 갈 것”이라고 밝혔다.
그러면서 “앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1천단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다”며 “D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구 개발하고 있으며, V낸드는 단수를 늘리면서도 높이는 줄이고 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 강점을 고도화할 것”이라고 설명했다.최근 삼성전자는 업계 최고 용량인 32기가비트 DDR5 D램 개발에 성공했다.
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