SK하이닉스는 7~10일 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2025에서 인공지능용 고성능 메모리인 HBM3E 16단 샘플을 공개한다. 16단 HBM 제품은 최신 HBM 기술로, 높은 용량과 성능을 제공하지만 제조 난이도가 높아 주목받는다.
SK하이닉스 가 현존 최신, 최대 용량 고대역폭 메모리 (HBM)인 HBM3E 16단 제품을 다음 주 선보인다. 지난해 11월 제품 개발을 공식화한 후 두 달도 안 되어서다. HBM 경쟁이 뜨거운 가운데, SK하이닉스 가 개발 속도에서 ‘초격차’를 벌리고 있다. 3일 SK하이닉스 는 오는 7~10일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 열리는 가전·IT 쇼 CES 2025 에 HBM3E (5세대) 16단 샘플을 처음으로 공개한다고 밝혔다. 인공지능(AI)용 고성능 메모리 인 HBM은 D램 메모리 를 층층이 쌓아 만드는데, 16단을 쌓은 건 이번이 처음이다. 4단, 8단, 12단 등 HBM 단 수가 올라갈수록 용량·성능이 올라가지만, 요구되는 기술력과 제조 난이도 또한 높아진다. 특히 D램을 여러 단 쌓을수록 칩이 휘어 뒤틀릴 수 있고, 밀집된 메모리 에서 발생하는 열이 칩 성능을 떨어뜨릴 위험도 있다. 최신 HBM으로 갈수록 첨단 패키징과 발열 제어 기술이 요구되는 이유다.
SK하이닉스는 “어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 칩의 휨 현상을 제어하고 방열 성능을 극대화했다”라고 밝혔다. MR-MUF는 HBM을 패키징하는 회사 고유의 방식인데, 이 기술을 보다 고도화해 16단 HBM도 만들었다는 거다. 6세대인 HBM4는 12단과 16단 제품으로 나올 전망이어서, 반도체 업계에서는 “SK하이닉스가 익숙한 기존 기술로 16단을 개발하면서 HBM4에서도 기선을 제압하려 한다”는 평이 나온다. 내년 1월 미국 라스베이거스에서 열리는 CES의 SK하이닉스 전시관 조감도. SK하이닉스는 최신 HBM 개발·양산에 연달아 최초 기록을 세우고 있다. 엔비디아 최신 AI 가속기에 탑재되는 HBM3E 12단도 SK하이닉스가 세계 최초로 대량 양산에 성공해 납품하고 있다. 지난해 11월 서울 강남에서 열린 SK AI 써밋에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 영상 인터뷰로 “HBM 발전 속도가 훌륭하다”면서도 “솔직히 더 빨리빨리 나아가야 한다. HBM4도 6개월 안에 부탁한다”라며 최태원 SK 회장과 곽노정 SK하이닉스 대표를 재촉했다. 24일(현지 시각) 최태원 SK그룹 회장(오른쪽)과 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 실리콘밸리에서 회동하고 있다. 올해 CES의 주요 주제 역시 AI로 젠슨 황 CEO가 기조 연설을 맡으며, 최태원 회장과 젠슨 황 CEO의 회동 여부에도 관심이 모인다. SK하이닉스는 ‘혁신적인 AI 기술로 지속가능한 미래를 만든다(Innovative AI, Sustainable tomorrow)’를 주제로 SK텔레콤, SKC, SK엔무브 등 SK 관계사들과 공동 전시관을 운영한다. 곽 대표와 김주선 AI 인프라 사장, 안현 개발총괄 사장 등이 CES에 참관하고 해외 고객을 만날 예정이다
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