'1테라비트 TLC 4D'로 시작데이터 전송 속도 12% 향상'AI 저장장치 공략 앞서나가'
"AI 저장장치 공략 앞서나가" SK하이닉스가 차세대 저장장치인 '321단 낸드플래시' 양산에 돌입했다. 글로벌 메모리 기업들이 200단대 생산에 머물고 있는 가운데, SK하이닉스가 빠른 속도로 고성능 저장장치 시장에 진입하려는 대목이다.
21일 SK하이닉스는 '321단 1테라바이트 TLC 4D 낸드플래시' 양산을 시작한다고 발표했다. SK하이닉스는"2023년 6월에 직전 최고층인 238단 제품을 양산해 시장에 공급해왔다"면서"이번에는 300단을 넘어서는 낸드를 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다"고 강조했다. SK하이닉스는 양품 비율인 수율을 높여 내년 상반기부터 안정적으로 고객사에 공급한다는 방침이다.이번 양산이 주목되는 것은 높이 때문이다. 낸드 기업들은 줄곧 높이를 쌓는 이른바 '단수 경쟁'을 벌여왔다. 작년 6월 SK하이닉스가 238단, 올 4월에는 삼성전자가 286단 낸드를 양산한다고 발표한 바 있다.
낸드 단수는 메모리 셀을 수직으로 몇 층이나 쌓는지를 나타내는 기술적 이정표다. 단수가 높아질수록 더 많은 메모리 셀을 쌓을 수 있어 동일 면적에서 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 장점이 있다. 이 때문에 단수가 높으면 △저장장치 용량이 증가하고 △웨이퍼당 생산단가가 낮아지며 △단위당 더 낮은 전력을 소비하는 구조다.SK하이닉스는 이번 양산이 향후 시장 장악으로 이어질 것으로 기대하고 있다. 최정달 SK하이닉스 낸드 개발 담당 부사장은"300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입해 인공지능 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브, 온디바이스 AI와 같은 AI 저장장치 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다"고 강조했다.
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